少子壽命是半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的平均生存時間，指非平衡少數(shù)載流子濃度減少到初始值的1/e所需的時間。該參數(shù)直接反映半導(dǎo)體材料質(zhì)量和器件性能，在N型半導(dǎo)體中空穴為少子，P型半導(dǎo)體中電子為少子，其濃度主要由本征激發(fā)決定。少子壽命受復(fù)合機理影響，包括直接復(fù)合、間接復(fù)合、表面復(fù)合和Auger復(fù)合等。間接躍遷半導(dǎo)體（如硅、鍺）的壽命由雜質(zhì)和缺陷決定，直接躍遷半導(dǎo)體（如砷化鎵）壽命普遍較短。通過控制復(fù)合中心濃度可調(diào)節(jié)少子壽命：去除雜質(zhì)缺陷可延長壽命，摻入金、鉑或電子輻照可縮短壽命。測試方法包括準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)（QSSPC）和瞬態(tài)模式，前者適用于低壽命樣品，后者用于高壽命樣品。少子壽命測試范圍覆蓋100納秒至10毫秒，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋材料質(zhì)量評估、器件分析及工藝監(jiān)控，尤其在太陽能電池生產(chǎn)中用于優(yōu)化光電轉(zhuǎn)換效率。碳化硅材料中少子壽命與晶體缺陷濃度相關(guān)，通過摻雜可調(diào)節(jié)其壽命以提升功率器件性能。主要用于光伏、半導(dǎo)體行業(yè)，測試硅片、電池片等產(chǎn)品，